STB8NM60T4
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STB8NM60T4參數：MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
其它有關文件： STB8NM60ViewAllSpecifications
標準包裝：1,000
系列：MDmesh™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：650V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：8A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1歐姆@2.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：18nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：400pF@25V
功率-最大值：100W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：D2PAK