<li id="owm0q"></li>
STB80NF03L-04-1參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STB80NF03L-04ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：STripFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：80A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：4毫歐@40A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：110nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：5500pF@25V功率-最大值：300W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：I2PAK
<rt id="c80ay"></rt>
