STB22NM60N
PDF資料下載

STB22NM60N參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STB22NM60NViewAllSpecifications
標準包裝：1,000
系列：MDmesh™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：16A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：220毫歐@8A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@100µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：44nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1300pF@50V
功率-最大值：125W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK