STB12NM60N-1
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STB12NM60N-1參數：MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：MDmesh™
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：10A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：410 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：960pF @ 50V
功率 - 最大值：90W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商器件封裝：I2PAK