STB120N4F6參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STB120N4F6ViewAllSpecifications特色產(chǎn)品： STripFETVIDeepGATESeriesPowerMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：STripFET™DeepGATE™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：40V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：80A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4毫歐@40A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：65nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3850pF@25V功率-最大值：110W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應(yīng)商器件封裝：D2PAK
