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SSM6N55NU,LF參數：MOSFET N CH 30V 4A UDFN6
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：4A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：46 毫歐 @ 4A， 10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.5nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：280pF @ 15V功率 - 最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN 裸露焊盤供應商器件封裝：6-uDFN（2x2）
