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SSM6N36FE,LM(T參數(shù)：MOSFET DUAL N-CH 20V .5A ES6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： SmallSignalMOSFET產(chǎn)品目錄繪圖： ES6Top ES6Side標準包裝：4,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：500mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：630毫歐@200mA，5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：1.23nC@4V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：46pF@10V功率-最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：ES6（1.6x1.6）
