SSM6J212FE(TE85L,F
PDF資料下載

SSM6J212FE(TE85L,F參數：MOSFET P-CH 20V 4A ES6

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： SmallSignalMOSFET
產品目錄繪圖： ES6Top ES6Side
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，1.5V驅動
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：40.7毫歐@3A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：14.1nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：970pF@10V
功率-最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝：ES6（1.6x1.6）