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SSM3K36MFV(TL3,T)參數：MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：8,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：500mA不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：630 毫歐 @ 200mA，5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1.23nC @ 4V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：46pF @ 10V功率 - 最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-723供應商器件封裝：VESM（1.2x1.2）