SSM3J307T(TE85L,F)
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SSM3J307T(TE85L,F)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 5A TSM

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： SmallSignalMOSFET
產(chǎn)品目錄繪圖： TSMTop TSMSide
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，1.5V驅動
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：31毫歐@4A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：19nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1170pF@10V
功率-最大值：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝：TSM（2.9x2.8）