SSM3J307T(TE85L,F)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 5A TSM
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： SmallSignalMOSFET產(chǎn)品目錄繪圖： TSMTop TSMSide標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.5V驅動漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：31毫歐@4A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：19nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1170pF@10V功率-最大值：700mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應商器件封裝：TSM（2.9x2.8）
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