SSM3J112TU(TE85L)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.1A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：390 毫歐 @ 500mA，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 100µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：86pF @ 15V功率 - 最大值：500mW安裝類型：表面貼裝封裝：3-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：UFM（2.0x2.1）
