SQD45P03-12-GE3
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SQD45P03-12-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH D-S 30V TO252

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：50A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：83nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3495pF @ 15V
功率 - 最大值：71W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252，（D-Pak）