SQ3419EEV-T1-GE3
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SQ3419EEV-T1-GE3參數：MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

類別：分立半導體產品-FET - 單
特色產品： SQSeriesPowerMOSFETs
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：7.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：50毫歐@2.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1065pF@20V
功率-最大值：5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-74，SOT-457
供應商器件封裝：6-TSOP