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SPU02N60C3參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標準包裝：1,500系列：CoolMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3歐姆@1.1A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.9V@80µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：200pF@25V功率-最大值：25W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3長引線，IPak，TO-251AB供應(yīng)商器件封裝：PG-TO251-3
