SPI11N60C3參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：CoolMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：11A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：380毫歐@7A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3.9V@500µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：60nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1200pF@25V功率-最大值：125W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
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