SPB35N10參數：MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單產品變化通告： ProductDiscontinuation22/Feb/2008標準包裝：1,000系列：SIPMOS®包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：35A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：44毫歐@26.4A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@83µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：65nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1570pF@25V功率-最大值：150W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：P-TO263-3
<li id="s2424"></li>
<strike id="s2424"></strike>
