SPB04N50C3
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SPB04N50C3參數(shù)：MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters
標準包裝：1,000
系列：CoolMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：560V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：950毫歐@2.8A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.9V@200µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：22nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：470pF@25V
功率-最大值：50W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：PG-TO263-3