SP8J65TB1參數(shù)：MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類(lèi)型：2 個(gè) P 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：7A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：29 毫歐 @ 7A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1200pF @ 10V功率 - 最大值：2W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC N
