SKB02N120參數(shù)：IGBT 1200V 2A 62W TO263-3-2
類別：分立半導體產(chǎn)品-IGBT - 單路標準包裝：1,000系列：-包裝：帶卷 (TR)IGBT 類型：NPT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.6V @ 15V，2A電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：6.2ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：9.6A功率 - 最大值：62WSwitching Energy：220µJ輸入類型：標準Gate Charge：11nCTd (on/off) A 25°C：23ns/260nsTest Condition：800V, 2A, 91 歐姆, 15V反向恢復時間 (trr)：50ns封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB安裝類型：表面貼裝供應商器件封裝：PG-TO263-3-2
<rt id="i2qu2"></rt>
