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SIS435DNT-T1-GE3參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 22A 1212-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：22A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：5.4 毫歐 @ 13A， 4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：180nC @ 8V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 10V功率 - 最大值：3.7W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK 1212-8供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? 1212-8
