SIRA18DP-T1-GE3
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SIRA18DP-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CHAN 30V D-S SO-8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET?Gen IV
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：33A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：7.5 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：21.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 15V
功率 - 最大值：14.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? SO-8