SIR866DP-T1-GE3
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SIR866DP-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 60A PPAK 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： N-ChannelTrenchFET?GenIIIPowerMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：60A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.9毫歐@20A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：107nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：4730pF@10V
功率-最大值：83W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK?SO-8
供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK?SO-8