SIHW30N60E-GE3
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SIHW30N60E-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：29A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：125 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：130nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 100V
功率 - 最大值：250W
安裝類型：通孔
封裝：TO-3P-3 整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-247AD