SIHP18N50C-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 500V 18A TO220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： SiHP18N50C/SiHG20N50CMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：-包裝：散裝FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：500V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：18A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：270毫歐@10A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：76nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2942pF@25V功率-最大值：223W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
