SIHG32N50D-GE3
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SIHG32N50D-GE3參數：MOSFET N-CH 500V D TO-247AC

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：500
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：500V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：150 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：96nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2550pF @ 100V
功率 - 最大值：390W
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3（TO-247AC）
供應商器件封裝：TO-247AC