SIHG24N65E-E3
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SIHG24N65E-E3參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：25
系列：E 系列
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：24A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：145 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：122nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2740pF @ 100V
功率 - 最大值：250W
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-247AC