SIHD5N50D-GE3
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SIHD5N50D-GE3參數：MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：500V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：5.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：1.5 歐姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：325pF @ 100V
功率 - 最大值：104W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：TO-252AA