SIHB33N60E-GE3
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SIHB33N60E-GE3參數(shù)：MOSFET N CH 600V 33A TO-263

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：E 系列
包裝：散裝
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：33A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：99 毫歐 @ 16.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3508pF @ 100V
功率 - 最大值：278W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D²PAK