SIHB12N60E-GE3參數：MOSFET N CH 600V 12A TO263
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：1,000系列：E 系列包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：12A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：380 毫歐 @ 6A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：58nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：937pF @ 100V功率 - 最大值：147W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：D2PAK
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