SIE836DF-T1-GE3
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SIE836DF-T1-GE3參數：MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：18.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：130 毫歐 @ 4.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：41nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1200pF @ 100V
功率 - 最大值：104W
安裝類型：表面貼裝
封裝：10-PolarPAK?（SH）
供應商器件封裝：10-PolarPAK?（SH）