SIB912DK-T1-GE3
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SIB912DK-T1-GE3參數：MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：1.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：216 毫歐 @ 1.8A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：95pF @ 10V
功率 - 最大值：3.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SC-75-6L 雙
供應商器件封裝：PowerPAK? SC-75-6L 雙