SIA419DJ-T1-GE3
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SIA419DJ-T1-GE3參數：MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

類別：分立半導體產品-FET - 單
特色產品： PowerMOSFETsinPowerPAK?SC-70Package
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：12A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：30毫歐@5.9A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：850mV@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：29nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1500pF@10V
功率-最大值：19W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK?SC-70-6
供應商器件封裝：PowerPAK?SC-70-6單