SI8900EDB-T2-E1
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SI8900EDB-T2-E1參數(shù)：MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X5 10-MFP

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：5.4A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：24 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1.1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：10-UFBGA，CSPBGA
供應商器件封裝：10-Micro Foot?（2x5）