SI8466EDB-T2-E1
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SI8466EDB-T2-E1參數：MOSFET N-CHAN 8V D-S MICROFOOT

類別：分立半導體產品-FET - 單
特色產品： N-Channel8V(D-S)MOSFETs
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，2.5V驅動
漏源極電壓(Vdss)：8V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：3.6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：43毫歐@2A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：700mV@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：13nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：710pF@4V
功率-最大值：780mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：4-UFBGA，WLCSP
供應商器件封裝：4-Microfoot