SI8461DB-T2-E1
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SI8461DB-T2-E1參數(shù)：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類(lèi)型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：-
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：100 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：24nC @ 8V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：610pF @ 10V
功率 - 最大值：780mW
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝：4-XFBGA，CSPBGA
供應(yīng)商器件封裝：4-Microfoot