SI8441DB-T2-E1
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SI8441DB-T2-E1參數：MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：10.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：13nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：600pF @ 10V
功率 - 最大值：13W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-MICRO FOOT?
供應商器件封裝：6-Micro Foot?