SI8416DB-T1-GE3
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SI8416DB-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，1.2V 驅動
漏源極電壓 (Vdss)：8V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：16A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：23 毫歐 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1470pF @ 4V
功率 - 最大值：13W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-UFBGA
供應商器件封裝：6-microfoot