SI7998DP-T1-GE3
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SI7998DP-T1-GE3參數：MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：25A，30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9.3 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1100pF @ 15V
功率 - 最大值：22W，40W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? SO-8 雙
供應商器件封裝：PowerPAK? SO-8 Dual