SI7940DP-T1-E3參數(shù)：MOSFET 2N-CH 12V 7.6A 8SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：12V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：7.6A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 11.8A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.4W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerPAK? SO-8 雙供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? SO-8 Dual
