SI7216DN-T1-GE3
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SI7216DN-T1-GE3參數(shù)：MOSFET DL N-CH 40V PPAK 1212-8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：32 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：670pF @ 20V
功率 - 最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? 1212-8 雙
供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK? 1212-8 Dual