SI6459BDQ-T1-E3
PDF資料下載

SI6459BDQ-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2.2A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：115 毫歐 @ 2.7A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：22nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP