SI6433BDQ-T1-E3參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng)漏源極電壓 (Vdss)：12V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：4A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：40 毫歐 @ 4.8A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.05W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP
VISHAYTSSOP82023+4482全新原廠原裝現(xiàn)貨
