SI5858DU-T1-E3
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SI5858DU-T1-E3參數：MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：39 毫歐 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：520pF @ 10V
功率 - 最大值：8.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerPAK? CHIPFET? 雙
供應商器件封裝：PowerPAK? ChipFet 雙