SI5475DDC-T1-GE3
PDF資料下載

SI5475DDC-T1-GE3參數：MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅動
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：32 毫歐 @ 5.4A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 8V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1600pF @ 6V
功率 - 最大值：5.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：1206-8 ChipFET?