SI5432DC-T1-GE3
PDF資料下載

SI5432DC-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：6A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8.3A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1200pF @ 10V
功率 - 最大值：6.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：1206-8 ChipFET?