SI5432DC-T1-GE3參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：6A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 8.3A，4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1200pF @ 10V功率 - 最大值：6.3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：1206-8 ChipFET?
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