SI5406DC-T1-GE3參數：MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
類別：分立半導體產品-FET - 單標準包裝：3,000系列：TrenchFET®包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：12V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：6.9A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：20 毫歐 @ 6.9A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 1.2mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：1.3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應商器件封裝：1206-8 ChipFET?
