SI4866DY-T1-E3
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SI4866DY-T1-E3參數：MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：11A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.5 毫歐 @ 17A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：600mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：1.6W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOIC N