SI4712DY-T1-GE3
PDF資料下載

SI4712DY-T1-GE3參數：MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：SkyFET®, TrenchFET®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：14.6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：13 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：28nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1084pF @ 15V
功率 - 最大值：5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOIC N